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SI-N8R1113B1US

SI-N8R1113B1US

僅供參考

型號 SI-N8R1113B1US
PNEDA編號 SI-N8R1113B1US
描述 ACOM
制造商 Samsung Semiconductor, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI-N8R1113B1US資源

品牌 Samsung Semiconductor, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI-N8R1113B1US
類別光電元件LED照明LED照明-COB,引擎,模塊,燈條
數據表
SI-N8R1113B1US, SI-N8R1113B1US數據表 (總頁數: 15, 大小: 928.6 KB)
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SI-N8R1113B1US規格

制造商Samsung Semiconductor, Inc.
系列ACOM DLE
類型LED Module
顏色White, Cool
CCT(K)5000K
波長-
配置Square
通量@電流/溫度-測試1250lm (1090lm ~ 1420lm)
當前-測試-
溫度-測試25°C
電壓-正向(Vf)(典型值)-
流明/瓦特@電流-測試110 lm/W
當前-最大-
CRI(顯色指數)80
視角115°
功能-
尺寸/尺寸55.00mm L x 55.00mm W
高度12.50mm
發光面(LES)22.50mm Dia
鏡頭類型Flat

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配置

Square

通量@電流/溫度-測試

406lm (Typ)

當前-測試

90mA

溫度-測試

85°C

電壓-正向(Vf)(典型值)

34.6V

流明/瓦特@電流-測試

130 lm/W

當前-最大

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CRI(顯色指數)

90

視角

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功能

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尺寸/尺寸

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配置

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當前-測試

2.7A

溫度-測試

85°C

電壓-正向(Vf)(典型值)

35V

流明/瓦特@電流-測試

80 lm/W

當前-最大

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CRI(顯色指數)

90

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溫度-測試

85°C

電壓-正向(Vf)(典型值)

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通量@電流/溫度-測試

2539lm (Typ)

當前-測試

540mA

溫度-測試

85°C

電壓-正向(Vf)(典型值)

34.6V

流明/瓦特@電流-測試

136 lm/W

當前-最大

1.38A

CRI(顯色指數)

90

視角

115°

功能

-

尺寸/尺寸

19.00mm L x 19.00mm W

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發光面(LES)

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Flat

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配置

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當前-測試

550mA

溫度-測試

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電壓-正向(Vf)(典型值)

37V

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