Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3

僅供參考

型號 SI1012R-T1-E3
PNEDA編號 SI1012R-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 11 - 三月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1012R-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1012R-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI1012R-T1-E3, SI1012R-T1-E3數據表 (總頁數: 8, 大小: 166.47 KB)
PDFSI1012R-T1-E3數據表 封面
SI1012R-T1-E3數據表 頁面 2 SI1012R-T1-E3數據表 頁面 3 SI1012R-T1-E3數據表 頁面 4 SI1012R-T1-E3數據表 頁面 5 SI1012R-T1-E3數據表 頁面 6 SI1012R-T1-E3數據表 頁面 7 SI1012R-T1-E3數據表 頁面 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • SI1012R-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI1012R-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1012R-T1-E3
  • SI1012R-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI1012R-T1-E3 Stock

  • SI1012R-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI1012R-T1-E3
  • SI1012R-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1012R-T1-E3 Price
  • SI1012R-T1-E3 Distributor

SI1012R-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.75nC @ 4.5V
Vgs(最大)±6V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-75A
包裝/箱SC-75A

您可能感興趣的產品

BUK9J0R9-40HX

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

IPAW60R280CEXKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 430µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Variant

IRF3704

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

77A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1996pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

87W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

SI3434DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.14W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-TSOP

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

IRLB8314PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 68A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5050pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

最近成交

MM3Z4V7T1G

MM3Z4V7T1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD323

MP24833GN-Z

MP24833GN-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC LED DRIVER

DS2482X-101+T

DS2482X-101+T

Maxim Integrated

IC MASTER I2C-1WIRE 1CH 9-WLP

MT41K128M16JT-125 XIT:K

MT41K128M16JT-125 XIT:K

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

74HC245D

74HC245D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC TRANSCVR NON-INVERT 6V 20SOIC

MAX17048G+T10

MAX17048G+T10

Maxim Integrated

IC FUEL GAUGE LI-ION 1CELL 8TDFN

SC2596SETRT

SC2596SETRT

Semtech

IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC

MAX5541CSA+

MAX5541CSA+

Maxim Integrated

IC DAC 16BIT V-OUT 8SOIC

FSAM30SH60A

FSAM30SH60A

ON Semiconductor

SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA

BC817-16,215

BC817-16,215

Nexperia

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

HCM0703-4R7-R

HCM0703-4R7-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 4.7UH 5.5A 40 MOHM SMD

7443556350

7443556350

Wurth Electronics

FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM