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SI1033X-T1-GE3

SI1033X-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1033X-T1-GE3
PNEDA編號 SI1033X-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1033X-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1033X-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1033X-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)145mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

271pF @ 10V

功率-最大

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V, 12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A, 1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

功率-最大

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