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SI1046R-T1-E3

SI1046R-T1-E3

僅供參考

型號 SI1046R-T1-E3
PNEDA編號 SI1046R-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1046R-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1046R-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1046R-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 606mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.49nC @ 5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds66pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)250mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-75A
包裝/箱SC-75A

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 310µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

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90nC @ 10V

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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