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SI1300BDL-T1-GE3

SI1300BDL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1300BDL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1300BDL-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1300BDL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1300BDL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1300BDL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)400mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs850mOhm @ 250mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.84nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds35pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)190mW (Ta), 200mW (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.15V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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