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SI1304BDL-T1-E3

SI1304BDL-T1-E3

僅供參考

型號 SI1304BDL-T1-E3
PNEDA編號 SI1304BDL-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1304BDL-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1304BDL-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1304BDL-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)900mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds100pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)340mW (Ta), 370mW (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 218µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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