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SI1404BDH-T1-E3

SI1404BDH-T1-E3

僅供參考

型號 SI1404BDH-T1-E3
PNEDA編號 SI1404BDH-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1404BDH-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1404BDH-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1404BDH-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds100pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

331pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 10V

Vgs(最大)

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