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SI1405BDH-T1-GE3

SI1405BDH-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1405BDH-T1-GE3
PNEDA編號 SI1405BDH-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1405BDH-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1405BDH-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI1405BDH-T1-GE3, SI1405BDH-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 110.87 KB)
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SI1405BDH-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds305pF @ 4V
FET功能-
功耗(最大值)1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

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