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SI1499DH-T1-E3

SI1499DH-T1-E3

僅供參考

型號 SI1499DH-T1-E3
PNEDA編號 SI1499DH-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 28,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1499DH-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1499DH-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1499DH-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 4.5V
Vgs(最大)±5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 4V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 660µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 100V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

133nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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