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SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

僅供參考

型號 SI1926DL-T1-E3
PNEDA編號 SI1926DL-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 240,396
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1926DL-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1926DL-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1926DL-T1-E3, SI1926DL-T1-E3數據表 (總頁數: 11, 大小: 248.57 KB)
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SI1926DL-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)370mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18.5pF @ 30V
功率-最大510mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

279pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 16V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

功率-最大

1.1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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