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SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3

僅供參考

型號 SI1967DH-T1-E3
PNEDA編號 SI1967DH-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1967DH-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1967DH-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1967DH-T1-E3, SI1967DH-T1-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 109 KB)
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SI1967DH-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs490mOhm @ 910mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds110pF @ 10V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 10V

功率-最大

330mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 14A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 12.5V

功率-最大

6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

功率-最大

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