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SI2301A-TP

SI2301A-TP

僅供參考

型號 SI2301A-TP
PNEDA編號 SI2301A-TP
描述 P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 201,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI2301A-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI2301A-TP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI2301A-TP, SI2301A-TP數據表 (總頁數: 5, 大小: 333.38 KB)
PDFSI2301A-TP數據表 封面
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SI2301A-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds880pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 135mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-92-3

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

108nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11430pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

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ON Semiconductor

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta), 18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2045pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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4.5V, 10V

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5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

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