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SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

僅供參考

型號 SI2304BDS-T1-E3
PNEDA編號 SI2304BDS-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 43,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI2304BDS-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI2304BDS-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI2304BDS-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds225pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)750mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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-

FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

285pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50.6nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2425pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

690mW (Ta)

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