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SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3

僅供參考

型號 SI2305ADS-T1-E3
PNEDA編號 SI2305ADS-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI2305ADS-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI2305ADS-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI2305ADS-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds740pF @ 4V
FET功能-
功耗(最大值)960mW (Ta), 1.7W (Tc)
工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 25V

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18A (Ta), 46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1333pF @ 15V

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-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1676pF @ 25V

FET功能

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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6.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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