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SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

僅供參考

型號 SI2308BDS-T1-GE3
PNEDA編號 SI2308BDS-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI2308BDS-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI2308BDS-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI2308BDS-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs156mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Ta), 152A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

136nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1567pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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16.3A (Ta), 64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

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