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SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

僅供參考

型號 SI2392ADS-T1-GE3
PNEDA編號 SI2392ADS-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 58,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI2392ADS-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI2392ADS-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI2392ADS-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs126mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds196pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4540pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 100V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

165pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 13A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 8V

Vgs(最大)

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