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SI3134KE-TP

SI3134KE-TP

僅供參考

型號 SI3134KE-TP
PNEDA編號 SI3134KE-TP
描述 N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-523 PACKAG
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3134KE-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3134KE-TP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI3134KE-TP, SI3134KE-TP數據表 (總頁數: 4, 大小: 501.32 KB)
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SI3134KE-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)750mA
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds120pF @ 16V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-523
包裝/箱SOT-523

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 8.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1462pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 21W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-WDFN (3.3x3.3)

包裝/箱

8-PowerWDFN

SCT30N120

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

SiCFET (Silicon Carbide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 720mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

161A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

85W (Tc)

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