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SI3443DVTRPBF

SI3443DVTRPBF

僅供參考

型號 SI3443DVTRPBF
PNEDA編號 SI3443DVTRPBF
描述 MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3443DVTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3443DVTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI3443DVTRPBF, SI3443DVTRPBF數據表 (總頁數: 7, 大小: 109.08 KB)
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SI3443DVTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1079pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro6™(TSOP-6)
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

587pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

887pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 46µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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