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SI4420DYTR

SI4420DYTR

僅供參考

型號 SI4420DYTR
PNEDA編號 SI4420DYTR
描述 MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4420DYTR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4420DYTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI4420DYTR, SI4420DYTR數據表 (總頁數: 8, 大小: 111.65 KB)
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SI4420DYTR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs78nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2240pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7015pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

290W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

SOT-227

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

670mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

290mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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