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SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4501BDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4501BDY-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4501BDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4501BDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4501BDY-T1-GE3, SI4501BDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 206.32 KB)
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SI4501BDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel, Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V, 8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A, 8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds805pF @ 15V
功率-最大4.5W, 3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 20V

功率-最大

10W

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系列

TrenchFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

250mW

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