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SI4565ADY-T1-GE3

SI4565ADY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4565ADY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4565ADY-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4565ADY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4565ADY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4565ADY-T1-GE3, SI4565ADY-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 145.51 KB)
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SI4565ADY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.6A, 5.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds625pF @ 20V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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13A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

864pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

147A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 20mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

322nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 1000V

功率-最大

625W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

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105nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

304nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

700mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 4.5A, 10V, 82mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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