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SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4590DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4590DY-T1-GE3
描述 MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4590DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4590DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4590DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A, 2.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs57mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds360pF @ 50V
功率-最大2.4W, 3.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

725pF @ 25V

功率-最大

32W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A, 4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

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