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SI4621DY-T1-E3

SI4621DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4621DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4621DY-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4621DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4621DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI4621DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs54mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)2W (Ta), 3.1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

-

供應商設備包裝

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22A (Ta), 42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4225pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

72.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11045pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

543W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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