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SI4684DY-T1-GE3

SI4684DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4684DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4684DY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 30 - 二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4684DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4684DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI4684DY-T1-GE3, SI4684DY-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 94.46 KB)
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SI4684DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2080pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 840mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

229pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Diodes Incorporated

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.3V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

83mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

670mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

X2-WLB0808-4

包裝/箱

4-UFBGA, WLBGA

FDD6670A

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 66A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1755pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-PAK (TO-252)

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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7.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

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FET功能

-

功耗(最大值)

880mW (Ta), 47.2W (Tc)

工作溫度

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WSL2010R0160FEA

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