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SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4814BDY-T1-E3
PNEDA編號 SI4814BDY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 18 - 三月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4814BDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4814BDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4814BDY-T1-E3, SI4814BDY-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 193.63 KB)
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SI4814BDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A, 10.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大3.3W, 3.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4.8A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 14µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

功率-最大

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