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SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4814BDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4814BDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4814BDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4814BDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4814BDY-T1-GE3, SI4814BDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 193.63 KB)
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SI4814BDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A, 10.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大3.3W, 3.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

560nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

775mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 8V

功率-最大

270mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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