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SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4906DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4906DY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 3 - 三月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4906DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4906DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4906DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds625pF @ 20V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

功率-最大

2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

功率-最大

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