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SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4914DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4914DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4914DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4914DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4914DY-T1-E3, SI4914DY-T1-E3數據表 (總頁數: 9, 大小: 101.47 KB)
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SI4914DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A, 5.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W, 1.16W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 40V, 1000pF @ 20V

功率-最大

2.1W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

73A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

129nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2020pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

360mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 25V

功率-最大

310mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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