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SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4916DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4916DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4916DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4916DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4916DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A, 10.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大3.3W, 3.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 20V

功率-最大

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 20V

功率-最大

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Vishay Siliconix

系列

LITTLE FOOT®

FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.7W, 3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28.5pF @ 30V

功率-最大

320mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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