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SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4916DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4916DY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4916DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4916DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4916DY-T1-GE3, SI4916DY-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 191.1 KB)
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SI4916DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A, 10.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大3.3W, 3.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

148A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

544nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10200pF @ 1000V

功率-最大

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1720pF @ 15V

功率-最大

4.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.5pF @ 3V

功率-最大

200mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 25V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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