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SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4942DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4942DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4942DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4942DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4942DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

469pF @ 10V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 13V

功率-最大

800mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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