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SI5486DU-T1-GE3

SI5486DU-T1-GE3

僅供參考

型號 SI5486DU-T1-GE3
PNEDA編號 SI5486DU-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5486DU-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5486DU-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI5486DU-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2100pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 31W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
包裝/箱8-PowerVDFN

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技術

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2118pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1426pF @ 30V

FET功能

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功耗(最大值)

2.15W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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