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SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5920DC-T1-E3
PNEDA編號 SI5920DC-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5920DC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5920DC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5920DC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds680pF @ 4V
功率-最大3.12W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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