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SI6466ADQ-T1-GE3

SI6466ADQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6466ADQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6466ADQ-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6466ADQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6466ADQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI6466ADQ-T1-GE3, SI6466ADQ-T1-GE3數據表 (總頁數: 5, 大小: 71.57 KB)
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SI6466ADQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.05W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSSOP
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1580pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

JAN2N6784U

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/556

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

18-ULCC (9.14x7.49)

包裝/箱

18-CLCC

HUFA76609D3S

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

UltraFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

425pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

49W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252AA

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTB75N03-6T4G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5635pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1252pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

760mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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