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SI6924AEDQ-T1-GE3

SI6924AEDQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6924AEDQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6924AEDQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6924AEDQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6924AEDQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI6924AEDQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)28V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

功率-最大

125W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

功率-最大

1.96W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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