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SI6967DQ-T1-GE3

SI6967DQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6967DQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6967DQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6967DQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6967DQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI6967DQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

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