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SI7220DN-T1-E3

SI7220DN-T1-E3

僅供參考

型號 SI7220DN-T1-E3
PNEDA編號 SI7220DN-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 85,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7220DN-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7220DN-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7220DN-T1-E3, SI7220DN-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 557.42 KB)
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SI7220DN-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 15V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

功率-最大

34W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Siliconix

系列

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.13A, 880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 10V

功率-最大

5W

工作溫度

150°C (TJ)

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

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