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SI7222DN-T1-E3

SI7222DN-T1-E3

僅供參考

型號 SI7222DN-T1-E3
PNEDA編號 SI7222DN-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7222DN-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7222DN-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7222DN-T1-E3, SI7222DN-T1-E3數據表 (總頁數: 8, 大小: 116.25 KB)
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SI7222DN-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 20V
功率-最大17.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7700pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

119mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 25V

功率-最大

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