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SI7358ADP-T1-GE3

SI7358ADP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7358ADP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7358ADP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7358ADP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7358ADP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI7358ADP-T1-GE3, SI7358ADP-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 86.1 KB)
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SI7358ADP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.2mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4650pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.9W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 3.25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

755pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

82mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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350W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 25W (Tc)

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