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SI7463DP-T1-GE3

SI7463DP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7463DP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7463DP-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 52,206
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7463DP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7463DP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI7463DP-T1-GE3, SI7463DP-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 311.36 KB)
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SI7463DP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.9W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.7nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1291pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 31W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

1.52W (Ta)

工作溫度

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