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SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7882DP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7882DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
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SI7882DP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7882DP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI7882DP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.9W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

241mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3430pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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