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SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7905DN-T1-GE3
PNEDA編號 SI7905DN-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,949
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7905DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7905DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7905DN-T1-GE3, SI7905DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 547.98 KB)
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SI7905DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds880pF @ 20V
功率-最大20.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 5V, 23nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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