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SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7923DN-T1-GE3
PNEDA編號 SI7923DN-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7923DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7923DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7923DN-T1-GE3, SI7923DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 540.02 KB)
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SI7923DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs47mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 6V

功率-最大

1.2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3470pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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