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SI8230AB-B-ISR

SI8230AB-B-ISR

僅供參考

型號 SI8230AB-B-ISR
PNEDA編號 SI8230AB-B-ISR
描述 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
制造商 Silicon Labs
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI8230AB-B-ISR資源

品牌 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI8230AB-B-ISR
類別半導體隔離器隔離器-柵極驅動器
數據表
SI8230AB-B-ISR, SI8230AB-B-ISR數據表 (總頁數: 56, 大小: 630.44 KB)
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SI8230AB-B-ISR規格

制造商Silicon Labs
系列Automotive, AEC-Q100
技術Capacitive Coupling
頻道數2
電壓-隔離2500Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值)20kV/µs
傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)60ns, 60ns
脈沖寬度失真(最大值)5.6ns
上升/下降時間(典型值)20ns, 20ns (Max)
電流-輸出高,低250mA, 500mA
電流-峰值輸出500mA
電壓-正向(Vf)(典型值)-
電流-直流正向(If)(最大值)-
電壓-輸出電源6.5V ~ 24V
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC
批準CQC, CSA, UR, VDE

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脈沖寬度失真(最大值)

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電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

2.5A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.55V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

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5000Vrms

共模瞬變抗擾度(最小值)

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傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

250ns, 250ns

脈沖寬度失真(最大值)

100ns

上升/下降時間(典型值)

50ns, 50ns

電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

2.5A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.56V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

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50ns, 50ns

電流-輸出高,低

200mA, 200mA

電流-峰值輸出

400mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

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10V ~ 30V

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