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SI8233AB-D-IS1R

SI8233AB-D-IS1R

僅供參考

型號 SI8233AB-D-IS1R
PNEDA編號 SI8233AB-D-IS1R
描述 DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
制造商 Silicon Labs
單價
1 ---------- $36.0992
100 ---------- $34.4070
250 ---------- $32.7149
500 ---------- $31.0228
750 ---------- $29.6126
1,000 ---------- $28.2025
庫存 1,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI8233AB-D-IS1R資源

品牌 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI8233AB-D-IS1R
類別半導體隔離器隔離器-柵極驅動器
數據表
SI8233AB-D-IS1R, SI8233AB-D-IS1R數據表 (總頁數: 58, 大小: 941.54 KB)
PDFSI8238BD-D-IS3R數據表 封面
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SI8233AB-D-IS1R規格

制造商Silicon Labs
系列Automotive, AEC-Q100
技術Capacitive Coupling
頻道數2
電壓-隔離2500Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值)20kV/µs
傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)60ns, 60ns
脈沖寬度失真(最大值)5.6ns
上升/下降時間(典型值)12ns, 12ns (Max)
電流-輸出高,低2A, 4A
電流-峰值輸出4A
電壓-正向(Vf)(典型值)-
電流-直流正向(If)(最大值)-
電壓-輸出電源6.5V ~ 24V
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC
批準CQC, CSA, UR, VDE

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共模瞬變抗擾度(最小值)

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傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

400ns, 400ns

脈沖寬度失真(最大值)

100ns

上升/下降時間(典型值)

60ns, 60ns

電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

3A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

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脈沖寬度失真(最大值)

13ns

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電流-輸出高,低

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電壓-正向(Vf)(典型值)

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5000Vrms

共模瞬變抗擾度(最小值)

100kV/µs

傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

150ns, 150ns

脈沖寬度失真(最大值)

80ns

上升/下降時間(典型值)

20ns, 10ns

電流-輸出高,低

2.5A, 2.5A

電流-峰值輸出

3A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.45V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

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500ns, 500ns

脈沖寬度失真(最大值)

300ns

上升/下降時間(典型值)

100ns, 100ns

電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

2.5A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

電壓-輸出電源

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