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SI8261BAD-C-ISR

SI8261BAD-C-ISR

僅供參考

型號 SI8261BAD-C-ISR
PNEDA編號 SI8261BAD-C-ISR
描述 DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
制造商 Silicon Labs
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI8261BAD-C-ISR資源

品牌 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI8261BAD-C-ISR
類別半導體隔離器隔離器-柵極驅動器
數據表
SI8261BAD-C-ISR, SI8261BAD-C-ISR數據表 (總頁數: 40, 大小: 1,658.51 KB)
PDFSI8261BBD-C-IM數據表 封面
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SI8261BAD-C-ISR規格

制造商Silicon Labs
系列Automotive, AEC-Q100
技術Capacitive Coupling
頻道數1
電壓-隔離5000Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值)35kV/µs
傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)60ns, 50ns
脈沖寬度失真(最大值)28ns
上升/下降時間(典型值)5.5ns, 8.5ns
電流-輸出高,低500mA, 1.2A
電流-峰值輸出4A
電壓-正向(Vf)(典型值)2.8V (Max)
電流-直流正向(If)(最大值)30mA
電壓-輸出電源6.5V ~ 30V
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝6-SDIP Gull Wing
批準CQC, CSA, UR, VDE

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共模瞬變抗擾度(最小值)

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傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

500ns, 500ns

脈沖寬度失真(最大值)

300ns

上升/下降時間(典型值)

100ns, 100ns

電流-輸出高,低

500mA, 500mA

電流-峰值輸出

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電壓-隔離

5000Vrms

共模瞬變抗擾度(最小值)

35kV/µs

傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

50ns, 50ns

脈沖寬度失真(最大值)

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上升/下降時間(典型值)

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電流-峰值輸出

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電壓-正向(Vf)(典型值)

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傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

500ns, 500ns

脈沖寬度失真(最大值)

300ns

上升/下降時間(典型值)

100ns, 100ns

電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

2.5A

電壓-正向(Vf)(典型值)

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脈沖寬度失真(最大值)

300ns

上升/下降時間(典型值)

100ns, 100ns

電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

2.5A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.6V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

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供應商設備包裝

8-SO

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