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SI8402DB-T1-E1

SI8402DB-T1-E1

僅供參考

型號 SI8402DB-T1-E1
PNEDA編號 SI8402DB-T1-E1
描述 MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI8402DB-T1-E1資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI8402DB-T1-E1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI8402DB-T1-E1, SI8402DB-T1-E1數據表 (總頁數: 7, 大小: 129.15 KB)
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SI8402DB-T1-E1規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs37mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.47W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-Microfoot
包裝/箱4-XFBGA, CSPBGA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.45nC @ 10V

Vgs(最大)

30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

82mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2653pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

740mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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