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SI9433BDY-T1-E3

SI9433BDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI9433BDY-T1-E3
PNEDA編號 SI9433BDY-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 295,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI9433BDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI9433BDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI9433BDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 161A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2370pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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