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SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA106DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA106DJ-T1-GE3
描述 MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 23,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA106DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA106DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SIA106DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta), 12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18.5mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds540pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3.5W (Ta), 19W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® ChipFET™ Single

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

622pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.65mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

296nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

429W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

820mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

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