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SIA517DJ-T1-GE3

SIA517DJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA517DJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA517DJ-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 113,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA517DJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA517DJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIA517DJ-T1-GE3, SIA517DJ-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 322.5 KB)
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SIA517DJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 6V
功率-最大6.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

145mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A, 6.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1149pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

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